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應(yīng)用領(lǐng)域	電氣

1、HN7011A手持式直流電阻測(cè)試儀
三回路直流電阻測(cè)試儀 變壓器綜合試驗(yàn)臺(tái)
性能特點(diǎn)

1、電馳供電或者220V交流供電自適應(yīng)，一次充電。

2、輸出六檔電流，輸出10A電流，輸出25V電壓，并且可自動(dòng)選擇電流。

3、量程寬、準(zhǔn)度高，500uΩ～50KΩ。

4、具有電阻溫度換算功能，可選配無(wú)線(xiàn)測(cè)溫模塊，實(shí)時(shí)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)試品溫度，以確保電阻折算值的準(zhǔn)確性。MOSI-主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸入;MISO–主設(shè)備數(shù)據(jù)輸入，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸出;SCLK–時(shí)鐘信號(hào)，由主設(shè)備產(chǎn)生;SS–從設(shè)備使能信號(hào)，有主設(shè)備控制;SPI標(biāo)準(zhǔn)通訊接口SPI通訊接口的優(yōu)點(diǎn)是傳輸數(shù)據(jù)快，能達(dá)到幾兆到幾十兆，并且沒(méi)有系統(tǒng)開(kāi)銷(xiāo)。SPI總線(xiàn)的缺點(diǎn)也比較明顯，主要是沒(méi)有的流控制，也沒(méi)有應(yīng)答機(jī)制確認(rèn)是否接收到數(shù)據(jù)。單線(xiàn)SPI接口還有一種另類(lèi)的SPI通訊接口方式。

HN7010A變壓器直流電阻測(cè)試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)
    1、整機(jī)由單片機(jī)控制，自動(dòng)化程度高，操作簡(jiǎn)便。
    2、儀器采用電源技術(shù)，電流檔位多，測(cè)量范圍寬，可根據(jù)負(fù)載選擇電流，適合中小型變壓器和電壓互感器的直流電阻測(cè)量。，在測(cè)量電阻時(shí)，四線(xiàn)制測(cè)試法往往比兩線(xiàn)制測(cè)試法結(jié)果更。FlukeBT5系列的測(cè)試表筆就是采用了四線(xiàn)制測(cè)試的設(shè)計(jì)，但僅憑外觀(guān)判斷，不少工程師會(huì)誤以為這是兩線(xiàn)制測(cè)試的表筆，今天小福就帶大家來(lái)揭秘FlukeBT5系列蓄電池內(nèi)阻測(cè)試儀表筆暗藏的~簡(jiǎn)單科普一下兩線(xiàn)制測(cè)試和四線(xiàn)制測(cè)試的區(qū)別：兩線(xiàn)制測(cè)試原理：如下圖所示，此種連接方式即為典型的兩線(xiàn)制測(cè)試。其中被測(cè)電阻為Rb，兩根導(dǎo)線(xiàn)的饋線(xiàn)電阻分別為R1和R2，利用已知的I及V12，即可得到結(jié)果，但結(jié)果R=(R1+R2+Rb)，包含了饋線(xiàn)電阻，阻值比實(shí)際偏大。
   變壓器直流電阻測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn)
    1、輸出電流：

<5mA、40mA、200mA、1A、5A、10A、20A、40A、60A、100A、600A
    2、分辨率：0.1μΩ
    3、量程：100Ω-20KΩ  （<5mA檔）   

1Ω-200Ω （40mA檔）   

100mΩ-40Ω   (200mA檔)       

5mΩ-6Ω    (1A檔)
          1mΩ-2Ω   (3A檔)             

0.5mΩ-200mΩ(10A檔)
    4、準(zhǔn)確度：±(0.2%+2字)
   2ATPS82140功率模塊的降額曲線(xiàn)如所示，降額曲線(xiàn)會(huì)隨著輸入與輸出電壓的變化而發(fā)生微小的變化，因此必須查看特定設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)的曲線(xiàn)。一般來(lái)說(shuō)，隨著輸出電壓的增大，降額情況會(huì)變得稍差一些，因?yàn)榭傒敵龉β屎涂偣β蕮p耗也會(huì)增大。這一點(diǎn)可通過(guò)效率得到平衡，因?yàn)樾蕰?huì)隨著輸出電壓的增大而提高，同時(shí)有助于降低功率損耗。后，降額曲線(xiàn)基于一個(gè)特定的印刷電路板(PCB)，而此電路板通常是功率模塊的評(píng)估模塊(EVM)。

HN7033A三通道直流電阻測(cè)試儀

   三通道直流電阻測(cè)試儀是用于大容量變壓器繞組直流電阻三相測(cè)量的儀器。該儀器可對(duì)變壓器繞組三相測(cè)試，對(duì)有載調(diào)壓變壓器可直接調(diào)節(jié)分接，不需要放電，測(cè)試時(shí)間為傳統(tǒng)方法的三分之一，解決了電力變壓器直流電阻測(cè)試耗時(shí)長(zhǎng)的難題。儀器采用大屏幕液晶顯示，中文菜單提示，配有打印機(jī)，且具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，方便數(shù)據(jù)的讀取和記錄，測(cè)試數(shù)據(jù)穩(wěn)定，重復(fù)性好，抗干擾能力強(qiáng)，充放電速度快，是現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試變壓器直流電阻的選擇。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠(chǎng)出貨到封測(cè)廠(chǎng)的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

三回路直流電阻測(cè)試儀 變壓器綜合試驗(yàn)臺(tái)其二，可以將隔離電源的輸入地與輸出地連接在一起變成非隔離，由于都是等電位，即不會(huì)出現(xiàn)打火拉弧現(xiàn)象。通過(guò)以上兩種方法，均可以確定是否是由于隔離電源輸入與輸出之間的走線(xiàn)間距問(wèn)題導(dǎo)致打火拉弧。整改過(guò)程：通過(guò)分析確定是隔離電源輸入與輸出之間走線(xiàn)間距不足，共模浪涌導(dǎo)致兩端高壓差問(wèn)題。為此將打火處的走線(xiàn)斷開(kāi)，此處便不會(huì)再出現(xiàn)打火。同時(shí)如果其他地方有同樣的問(wèn)題，在斷開(kāi)前面的打火處后，則共模路徑為轉(zhuǎn)移到下一個(gè)間距不夠的地方，因此需要將這些隔離間距都斷開(kāi)，并滿(mǎn)足共模電壓間距要求。